 |
江风益
中国科学院院士，南昌实验室主任，教授
手机：
 微信：
邮箱：
 驻地：
|
详细介绍
江风益
中国科学院院士，南昌实验室主任，教授
个人履历：
江风益：男，1963年出生，江西余干人，半导体发光学家，中国科学院院士，南昌实验室主任，教授、博士生导师，入选国家百千万人才工程，国家有突出贡献中青年专家，科技部及教育部半导体照明技术创新团队带头人，中国照明学会名誉理事长。1984年从吉林大学物理系本科毕业后进入江西工业大学基础课部物理教研室工作；1989年获得中国科学院长春物理所固体发光专业硕士学位；1992年在南昌大学材料科学研究所工作，先后担任副教授、教授；2001年任半导体发光教育部工程研究中心主任；2008年，任南昌大学党委委员、副校长；2019年当选中国科学院院士。在硅基氮化镓半导体发光方向取得了开拓性、系统性、创造性学术成就，带领团队取得重大技术突破：硅基黄光LED光功率效率提高到26.7%，远高于中国之外的公开研究记录的最高水平（9.63%）；将高光效黄光和红光LED组合起来，实现了暖色调、无荧光粉、快响应、高光效、长寿命、纯LED光源，率先在路灯、台灯等市场应用；研制出单面出光、光效达56.7%的硅基绿光LED芯片，成功应用于专用飞机显示装备上，解决了抬头显示器功耗大、热量高的难题。先后主持国家863计划、电子发展基金及江西省科技课题项目30余项；先后授权中国国内外发明专利90余项；先后发表SCI论文90余篇。研究成果国家技术发明奖一等奖。2000年获全国先进工作者，2010年获全国优秀科技工作者。2016年获全国优秀共产党员。国际半导体照明联盟授予江风益同志“全球半导体照明突出贡献奖”。
论文代表：
热退火处理对AuGeNi/n-AlGaInP欧姆接触性能的影响，《物理学报》2020年第4期；
p-GaN插入层调控InGaN基黄绿双波长LED发光光谱，《发光学报》2020年第2期；
Ni插入层对Ag/p-GaN界面接触性能的影响机理，《发光学报》2019年第7期；
量子阱生长气压对InGaN/GaN黄光LED光电性能的影响，《发光学报》2018年第7期；
量子阱结构对含V形坑InGaN/GaN蓝光LED效率衰减的影响，《发光学报》2017年第7期；
刻蚀AlN缓冲层对硅衬底N极性n-GaN表面粗化的影响，《物理学报》2016年第8期；
InGaN/GaN超晶格厚度对Si衬底GaN基蓝光发光二极管光电性能的影响，《物理学报》2016年第7期；
图形硅衬底GaN基发光二极管薄膜去除衬底及AlN缓冲层后单个图形内微区发光及应力变化的研究，《物理学报》2015年第18期；
硅衬底氮化镓基LED薄膜转移至柔性黏结层基板后其应力及发光性能变化的研究，《物理学报》2015年第17期；
p型层结构与掺杂对GaInN发光二极管正向电压温度特性的影响，《物理学报》2015年第10期；
第一性原理计算研究金属Nb和间隙氢原子的相互作用，《物理学报》2012年第4期；
SiON钝化膜对硅衬底氮化镓绿光LED可靠性的影响，《发光学报》2011年第6期；
Si衬底功率型GaN基绿光LED性能，《光学学报》2009年第4期。
讲座主题：
《LED光源科技进展》
《LED芯片新技术与半导体照明新业态》
邀请老师演讲、授课请致电：19821197419 阎老师[微信同号]
免责声明：以上内容（包括文字、图片、视频）为用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。如涉及版权问题，请联系我们并提供版权证明，我们将立即删除！
