 |
李树深
中国科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员
手机：
 微信：
邮箱：
 驻地：
|
详细介绍
李树深
中国科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员
个人履历：
李树深：男，1963年3月出生，河北保定人，半导体器件物理专家，中国科学院院士、发展中国家科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师，半导体超晶格国家重点实验室主任 ，中国科学院大学原党委书记、校长，国家杰出青年基金获得者，入选国家级“新世纪百千万人才工程”，享受国务政府特殊津贴。1983年从河北师范大学物理系毕业后留校任教；1989年获得西南交通大学硕士学位；1996年获得中国科学院半导体研究所博士学位；2003年获得国家杰出青年科学基金资助；2006年担任中国科学院半导体研究所副所长、党委副书记；2009年担任国家重大科学研究计划（973项目）首席科学家；2011年当选为中国科学院院士，同年12月出任中国科学院半导体研究所所长（至2018年4月）；2015年当选为发展中国家科学院院士；2017年12月担任中国科学院党组成员、副院长；2018年5月7日正式出任中国科学院大学校长；2018年6月，兼任中国科学院大学党委书记。李树深院士的主要研究方向为低维半导体物理及器件、光电子器件性能预测、固态量子信息。提出了研究半导体耦合量子点（环）电子态结构的一种物理模型，理论上确定了半导体量子点可以吸收垂直入射光，发现了半导体量子点电荷量子比特真空消相干机制，发展了电子通过半导体量子点的量子输运数值计算方法；先后参加和主持国家八五、九五攀登计划、国家重大基础研究计划项目（973项目）及国家自然科学基金委和中国科学院重大、重点项目多项；在国内外重要学术期刊发表论文200余篇，研究工作被国际同行广泛引用，并被写入专著。研究成果获国家自然科学二等奖3项、“何梁何利”科技进步奖。
论文代表：
Origin of Immediate Damping of Coherent Oscillations in Photoinduced Charge-Density-Wave Transition, Phys. Rev. Lett. 130, 146901 (2023).
Orientation-dependent Rashba spin-orbit coupling of two-dimensional hole gases in semiconductor quantum wells: Linear or cubic, Phys. Rev. B 105, 115303 (2022).
Emergence of strong tunable linear Rashba spin-orbit coupling in two-dimensional hole gases in semiconductor quantum wells, Phys. Rev. B 103, 085309 (2021).
Rapid transition of the hole Rashba effect from strong field dependence to saturation in semiconductor nanowires, Phys. Rev. Lett. 119, 126401 (2017).
Uncovering many-body correlations in nanoscale nuclear spin baths by central spin decoherence, Nat. Comm., 5, 5822 (2014).
Electronic Structural Moiré Pattern Effects on MoS2/MoSe2 2D Heterostructures, Nano Letters, 13, 5485-5490 (2013).
Design of narrow-gap TiO2 for enhanced photoelectrochecmical activity: A passivated codoping approach, Phys. Rev. Lett. 102, 036402 (2009).
Origin and enhancement of hole-induced ferromagnetism in first-row d0 semiconductors, Phys. Rev. Lett. 102, 017201 (2009).
Electronic structures of N quantum dot molecule, Appl. Phys. Lett. 91, 092119 (2007).
Asymmetric quantum-confined Stark effects of hierarchical self-assembly of GaAs / AlxGa1-xAs quantum dots, Appl. Phys. Lett. 87, 043 102 (2005).
Effective-mass theory for hierarchical self-assembly of GaAs/AlxGa1-xAs quantum dots, Phys. Rev. B71, 155 301 (2005).
Spin-dependent transport through Cd1-xMnxTe diluted magnetic semiconductor quantum dots, Phys. Rev. B68, 245 306 (2003).
Electronic states of InAs/GaAs quantum ring. J. Appl. Phys. 89, 3434 (2001).
Quantum computing. Pro. Natl. Acad. Sci. USA, 98(21), 11847 (2001).
Electronic structures of InAs self-assembled quantum dot in an axial magnetic field. Phys. Rev. B58, 3561 (1998).
Intraband optical absorption in semiconductor coupled quantum dots. Phys. Rev. B55, 15 434 (1997).
Effective-mass theory for InAs/GaAs strained coupled quantum dots. Phys. Rev. B54, 11575 (1996).
Effective-mass theory for GaAs/GaAlAs quantum wires and corrugated superlattices grown on (311) oriented substrates. Phys. Rev. B50, 8602 (1994).
邀请老师演讲、授课请致电：19821197419 阎老师[微信同号]
免责声明：以上内容（包括文字、图片、视频）为用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。如涉及版权问题，请联系我们并提供版权证明，我们将立即删除！
