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祝宁华：《中国高端芯片研制已具备一定基础》
2026-03-02 12:48:12
作者：祝宁华（中国科学院院士，南开大学智能光子研究院院长）
我国近年来不间断地支持光电子领域的科技创新，从“863”计划、“973”计划到国家自然科学基金等各类项目，都投入大量资金引导高校、科研院所和企业对光电子芯片和模块的关键技术进行了广泛而深入的研究，取得了丰硕的创新性成果。当前我国已掌握中低端光电子器件关键技术，具备生产能力，但产能不足。在高端光电子器件研发方面，一些关键技术取得突破性进展，研制成功的原型器件通过系统功能验证，某些关键技术达到国际先进水平。”祝宁华介绍，仅从“863”计划的“十二五”规划来看，国家针对宽带通信、高性能计算机、骨干网络、无线通信和微波光波融合等领域方向中的光电子器件进行了重点部署。这些研发项目有很多是前瞻布局的，中兴通讯此次受到限制的所有芯片，在‘十二五’和‘十三五’国家重点研发计划中，都有相应部署。半导体激光器被称为信息网络的心脏，在光传输和交换设备中，光器件占百分之六七十的成本比重。
当前我国在光电子高端芯片研制上已具备基本条件，无论技术积累还是资金投入，以及高端核心人才的培养和储备，都具备了一定基础条件。只要国家选定面向未来信息网络急需的1—2类核心关键光电子芯片，集中资源，从设计、研发、器件制备到封装测试进行综合布局，同时通过国家引导、地方和企业的参与，构建完善的光电子芯片加工工艺平台，相信高端芯片研发将不断取得新的突破。
据了解，为实现自主创新发展，我国于2008年实施了国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”，经过9年攻关，成功打造了我国集成电路制造业创新体系。9年来，我国主流工艺水平提升了5代，55、40、28纳米三代成套工艺研发成功并实现量产，22、14纳米先导技术研发取得突破，已研制成功30多种高端装备和靶材、抛光液等上百种材料产品，性能达到国际先进水平。封装企业也从低端进入高端，三维高密度集成技术达到了国际先进水平。这一系列从无到有的突破，使我国集成电路制造技术体系和产业生态得以建立和完善。
作者介绍：
祝宁华：微波光子学家，中国科学院院士，南开大学智能光子研究院院长，研究员、博士生导师。兼任：中国光学学会常务理事，中关村光电子集成产业联盟理事长，中国通信学会光电融合技术专业委员会主任。曾任中国科学院半导体研究所副所长（法定代表人）、中国科学院雄安创新研究院筹建组组长、雄安创新研究院院长、国家863计划微电子与光电子主题专家、国家重点研发计划专项“光电子与微电子器件及集成”专家组组长。祝宁华院士长期从事光电子器件与集成、光电融合集成技术等方向的科学研究工作。主持承担了26项国家级研究项目，其中包括国家高层次人才计划项目，国家杰出青年基金，"863"重大，"973"课题，基金委重大国际合作，基金委重点，国家基金委创新群体项目，国家基金委重大项目和863主题项目等；在《IEEE J. Quantum Electron》《Nature Communications》《Light》等学术期刊上发表论文350余篇，出版《集成微波光子技术》《光电子器件微波封装和测试》等著作4部，获授权发明专利210余项。研究成果先后获国家技术发明二等奖两项、省部级一等奖五项等奖项。荣获光华工程科技奖、中国科学院杰出成就奖、三届全国创新争先奖等多项荣誉。
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