郝跃
中国科学院院士，西安电子科技大学集成电路学部主任、教授
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郝跃
中国科学院院士，西安电子科技大学集成电路学部主任、教授
个人履历：
郝跃：男，1958年3月出生，重庆人，微电子技术专家，中国科学院院士，西安电子科技大学集成电路学部主任、教授、博士生导师，国际IEEE学会高级会员，国家重大基础研究计划（973计划）项目首席科学家、国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的著名专家，国家电子信息科学与工程专业指导委员会副主任委员，九三学社第十四届中央委员会常委。担任《电子学报》和《光子学报》主编，《西安电子科技大学学报》编委会主任，《Fundamental Research》副主编。1982年毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业，1985年在西安电子科技大学获硕士学位，1991年在西安交通大学计算数学专业获博士学位。郝跃院士长期从事新型宽禁带半导体器件和材料、新型微纳米半导体器件与材料等方面的科学研究与人才培养，在氮化镓和碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波毫米波器件、半导体短波长光电材料与器件、微纳米CMOS器件新结构、新器件和可靠性失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。先后主持了多项国家科技攻关、863高科技项目、973计划项目、国家自然科学基金等项目；在国内外著名刊物和重要国际会议上发表论文200余篇，其中SCI 180余篇，被他引600余次，国家发明专利7项；出版《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》《碳化硅宽带隙半导体技术》等多部著作和教材；研究成果获得国家技术发明奖二等奖1项、国家科技进步奖二等奖2项、国家科技进步奖三等奖1项。荣获国家级教学成果一等奖1项、国家级教学成果二等奖1项、何梁何利科学与技术奖、陕西省最高科学技术奖。 是第九、第十、第十三届全国政协委员和第十一届全国人大代表。
论文代表：
Synthesis of Multi layer Graphene Films on Copper by Modified Chemical Vapor Deposition:MATERIALS AND MANUFACTURING PROCESSES,2015,30(6):711-716;
ynthesis of multilayer graphene films on copper by modified chemical vapor deposition:Materials and Manufacturing Processes,2015,30(6):711-716;
Novel combined edge termination for P-channel VDMOS:Xi'an Dianzi Keji Daxue Xuebao/Journal of Xidian University,2015,42(6):70-74;
Effects of deep etching methods on the microstructure of the etched vias of the silicon-based ,2015,42(4):41-46;
Threshold voltage engineering in GaN-based HEMT by using La<inf>2</inf>O<inf>3</inf>gate dielectric:Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics,2016,13(5-6):325-327;
Design of double sample 1.2 V 7 bit 125 MS Journal of Xidian University,2016,43(4):23-28;
GHz wideband 100W internally matched GaN power amplifier:IEICE Electronics Express,2015,12(6):1-6;
Analysis of the Breakdown Characterization Method in GaN-Based HEMTs:IEEE Transactions on Power Electronics,2016,31(2):1517-1527;
Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs with thin and high Al composition barrier layers using O-2 plasma implantation:PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE,2015,212(5):1081-1085;
Effects of the flow rate of hydrogen on the growth of graphene:INTERNATIONAL JOURNAL OF MINERALS METALLURGY AND MATERIALS,2015,22(1):102-110;
X-band inverse class-F GaN internally-matched power amplifier:CHINESE PHYSICS B,2016,25(9);
Superior material qualities and transport properties of InGaN channel heterostructure grown by pulsed metal organic chemical vapor deposition:CHINESE PHYSICS B,2016,25(1);
Trap states in enhancement-mode double heterostructures AlGaN/GaN high electron mobility transistors with different GaN channel layer thicknesses:APPLIED PHYSICS LETTERS,2015,107(6).
著作代表：
《微电子概论（第3版）》，作者：郝跃，电子工业出版社2025年02月出版；
《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》，作者：郝跃、张金风、张进成，科学出版社2013年01月出版；
《碳化硅宽带隙半导体技术》，作者: 郝跃、彭军、杨银堂，科学出版社2000年出版。
邀请老师演讲、授课请致电：19821197419 阎老师[微信同号]
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