吴汉明
中国工程院院士，浙江大学集成电路学院院长
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吴汉明
中国工程院院士，浙江大学集成电路学院院长
个人履历：
吴汉明：男，1952年6月出生，江苏常州人，微电子技术（集成电路制造）专家，中国工程院院士，浙江大学求是讲席教授、博士生导师，浙江大学集成电路学院院长，浙江大学绍兴研究院战略咨询委员会委员，浙江省半导体行业协会名誉理事长。1976年毕业于中国科技大学，1987年在中国科学院力学研究所获博士学位。曾任英特尔主任工程师、中芯国际集成电路制造（北京）有限公司副总裁、顾问；吴汉明院士长期工作在我国集成电路芯片产业。主持、参加了包括国家重大专项在内的0.13微米至14纳米七代芯片大生产工艺技术研发，攻克了包括刻蚀等一系列关键工艺难点；用理论模型支持我国首台大生产等离子体刻蚀机研发;创建了设计IP核技术公共平台，支持芯片制造产业链协同发展;建立的非平衡低温等离子体混合模型/整体模型作为教案被世界著名大学教科书采用；担任973项目首席科学家负责“量子点存储器和磁存储器技术研发”。国内外主流刊物和会议上发表论文100多篇，申报发明专利84项，其中24项是国际专利。作为主要负责人，四次获省部级一等奖，包括三次国家科技进步二等奖。曾获得“北京学者”“十佳全国优秀科技工作者” 和“全国杰出专业技术人才”等荣誉。曾任“中国半导体技术国际会议（CSTIC）”大会主席。
论文代表：
Self-Selection RRAM Cell With Sub- μA Switching Current and Robust Reliability Fabricated by High- K /Metal Gate CMOS Compatible Technology，《Electron Devices, IEEE Transactions on》10.1109/TED.2016.2612824；
A 65-nm 1-Gb NOR floating-gate flash memory with less than 50-ns access time，《Science Bulletin》10.1007/s11434-014-0517-x；
The status and trend of novel process and technology in nano-IC manufacturing，《Scientia Sinica Informationis》10.1360/112012-506；
Towards the systematic study of aging induced dynamic variability in nano-MOSFETs: Adding the missing cycle-to-cycle variation effects into device-to-device variation，《Electron Devices Meeting .iedm.technical Digest.international》10.1109/IEDM.2011.6131612；
Two-dimensional simulation of an electron cyclotron resonance plasma source with self-consistent power deposition，《Surface & Coatings Technology》10.1016/S0257-8972(00)00798-2；
Simulation of nonlinear behavior in an electron cyclotron resonance plasma，《Plasma Science and Technology》10.1088/1009-0630/2/3/002；
Challenges of 22 nm and beyond CMOS technology，《Science China(Information Sciences)》10.1007/s11432-009-0167-9；
Study on the ions' behavior in an electron cyclotron resonance plasma，《Journal of Applied Physics》10.1063/1.365382。
著作代表：
《集成电路制造大生产工艺技术》，主编：吴汉明，浙江大学出版社2023年10月出版；
讲座主题：
《“中国芯”制造面临挑战和机会》
《后摩尔时代中国IC的挑战和机遇》
《集成电路芯片制造中等离子体科学的应用》
邀请老师演讲、授课请致电：19821197419 阎老师[微信同号]
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