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张荣
中国科学院院士，厦门大学党委书记、教授
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详细介绍
张荣
中国科学院院士，厦门大学党委书记、教授
个人履历：
张荣：男，1964年2月出生，江苏淮安人，半导体新材料、器件领域专家，中国科学院院士，厦门大学党委书记（副部长级）、教授、博士生导师，厦门大学国家集成电路产教融合创新平台主任，厦门市未来显示技术研究院院长，国家杰出青年科学基金获得者，教育部“长江学者奖励计划”特聘教授，国家高层次人才特殊支持计划领军人才。1983年获南京大学学士学位；1986年获南京大学硕士学位；1995年获南京大学在职博士学位；2002年2月，任南京大学校长助理；2006年11月，任南京大学党委常委、副校长；2010年4月，任南京大学党委常委、常务副校长（正厅级）；2013年10月，任山东大学校长（副部长级）、党委副书记；2017年7月，任厦门大学校长（副部长级）、党委副书记；2022年3月，任厦门大学党委书记（副部长级）；2023年11月，当选中国科学院院士。 张荣院士长期致力于半导体新材料、器件和物理研究，是我国最早从事宽禁带半导体研究的科学家之一。先后主持国家“973”计划、“863”计划、国家自然科学基金重大项目等数十项国家和地方重大研究课题。在解决基础物理问题、攻克材料制备难题的基础上，研制成功新型高性能紫外探测和固态光源器件，开拓高灵敏空天日盲紫外探测成像等重要应用领域，取得了系统性、创造性成就，产生重大社会经济效益。授权发明专利136件（国际9件），发表SCI论文478篇（7篇入选ESI高被引论文），被SCI论文他引近万次。获国家技术发明二等奖（排1，2016）、国家自然科学二等奖（排2，2004）和国家技术发明三等奖（排2，1999）各1项、何梁何利科学与技术进步奖（2018）、省部级科技一等奖3项（均排1）。
论文代表：
Light-induced giant enhancement of nonreciprocal transport at KTaO<sub>3</sub>-based interfaces,NATURE COMMUNICATIONS,,2024-04-06.
Modulation of oxygen vacancies in InSnZnO thin films and applications for high-speed metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors,Applied Surface Science,0169-4332,2024-10-01.
nisotropic phonon dynamics in Dirac semimetal PtTe<sub>2</sub> thin films enabled by helicity-dependent ultrafast light excitation,LIGHT-SCIENCE & APPLICATIONS,2095-5545,2024-08-01.
Perovskite/GaN-Based Light-Modulated Bipolar Junction Transistor for High Comprehensive Performance Visible-Blind Ultraviolet Photodetection,ACS PHOTONICS,2330-4022,2024-06-24.
High-efficient spin injection in GaN through a lattice-matched tunnel layer,APPLIED PHYSICS LETTERS,0003-6951,2024-06-10.
Enhancing external quantum efficiency of deep ultraviolet micro-leds through geometry design and multi-physics field coupling analysis,SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,0268-1242,2024-05-01.
Investigation of carrier transport and recombination at type-II band aligned p-NiO/AlGaN interface in p-NiO gate AlGaN/GaN HEMTs under forward bias,APPLIED PHYSICS LETTERS,0003-6951,2024-04-22.
Observation of giant non-reciprocal charge transport from quantum Hall states in a topological insulator,NATURE MATERIALS,1476-1122,2024-04-19.
Excellent electrostatic control and gate reliability for breakdown enhanced AlGaN/GaN HEMTs with extreme permittivity BaTiO<sub>3</sub>,APPLIED PHYSICS LETTERS,0003-6951,2024-04-08.
Enhanced performance of AlGaN-based deep-UV LED by incorporating carrier injection balanced modulation layer synergistically with polarization-regulating structures,Journal of Physics D: Applied Physics,0022-3727,2024-02-16.
Efficient Perovskite-Based Near-Infrared Micro Light-Emitting Diode and Size-Effect Analysis,IEEE Electron Device Letters,0741-3106,2024.
Topology-induced chiral photon emission from a large-scale meron lattice,NATURE ELECTRONICS,2520-1131,2023-07-13.
High density polarization-induced 2D hole gas enabled by elevating Al composition in GaN/AlGaN heterostructures,Applied Physics Letters,0003-6951,2023-04-03.
Enhanced Superconductivity and Upper Critical Field in Ta-Doped Weyl Semimetal <i>T</i><sub>d</sub>-MoTe<sub>2</sub>,Advanced Materials,0935-9648,2023.
Monolithic Integration of GaN-Based Green Micro-LED and Quasi-Vertical MOSFET Utilizing a Hybrid Tunnel Junction,IEEE Electron Device Letters,0741-3106,2023.
Simplified numerical modeling for Fano interference-induced asymmetric light reflectance effect using equivalent medium theory,Optics Express,1094-4087,2022-06-20.
Progress on AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors and focal plane arrays,Light: Science and Applications,2095-5545,2021-12.
High performance GaN-based hybrid white micro-LEDs integrated with quantum-dots,Journal of Semiconductors,1674-4926,2020-03.
邀请老师演讲、授课请致电：19821197419 阎老师[微信同号]
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