 |
常瑞华
中国工程院外籍院士，香港中文大学（深圳）校长学勤讲座教授
手机：
 微信：
邮箱：
 驻地：
|
详细介绍
常瑞华
中国工程院外籍院士，香港中文大学（深圳）校长学勤讲座教授
个人履历：
常瑞华：女，纳米光电子研究专家，中国工程院外籍院士、美国国家工程院院士，国际电气及电子工程师学会会士、美国光学学会会士，香港中文大学（深圳）校长学勤讲座教授，浙江博升光电科技有限公司董事长。1982年本科毕业于加州大学戴维斯分校，获得电子工程与计算机科学学士学位；1984年硕士毕业于伯克利加州大学，获得电子工程与计算机科学学位；1987年博士毕业于伯克利加州大学，获得电子工程与计算机科学博士学位；1987年至1992年就职于贝尔通信研究所，任研究技术人员（贝尔核心）；1992年至1995年在斯坦福大学担任电子工程系助理教授；1995年9月成为副教授；1996年1月，任伯克利加州大学电子工程和计算机科学教授；2015年共同创立清华—伯克利深圳学院；2018年2月7日，当选美国国家工程院院士；2023年加入香港中文大学（深圳），同年11月23日当选中国工程院外籍院士；2024年7月，被中国光学工程学会授予“中国光学工程学会会士”称号。常瑞华院士主要研究领域是纳米结构材料的合成、性质和器件，宽带光通信，VCSEL，光学微机电结构。为垂直腔面发射激光器（VCSEL）的物理，设计，材料和应用做出了开创性的贡献，并使得VCSEL确立了在多模光纤应用，光学相干层析成像和3D传感应用等领域的统治地位。拥有39项专利；与他人合著了将近500篇论文，参与8部书籍编写。荣获Curtis W. McGraw研究奖、IEEE William Streifer科学成就奖、日本大川奖、古根海姆奖学金、潘文渊文教基金会研究杰出奖、国际半导体化合物大会量子研究奖等。
论文代表：
Metastable Growth of Pure Wurtzite InGaAs Microstructures,Nano Letters, vol.14,no.8,pp. 4757–4762,July2014.
Nanophotonic integrated circuits from nanoresonators grown on silicon,Nature communications,vol.5,no.4325,July2014.
Low loss hollow-core waveguide on a silicon substrate,Nanophotonics, vol.1,no.1,pp.23--29,Jan.2012.
Tunable VCSEL with ultra-thin high contrast grating for high-speed tuning,Optics Express,vol.16,no.18,pp.14221-14226,Sep.2008.
Growth mechanisms and crystallographic structure of InP nanowires on lattice-mismatched substrates,J.Applied Physics,vol.104,no.4,pp.044313-1-4,Aug.2008.
Monolithic integrated piezoelectric MEMS-tunable VCSEL,IEEE J. Selected Topics in Quantum Electronics,vol.13,no.2,pp.374-380,March 2007.
Rayleigh backscattering and extinction ratio study of optically injection-locked 1.55 mu m VCSELs,Electronics Letters, vol.43,no.3,pp.182-183,Feb.2007.
Slow-light optical buffers: capabilities and fundamental limitations,J. Lightwave Technology,vol.23,no.12,pp.4046-4066,Dec.2005.
Ultrabroadband mirror using low-index cladded subwavelength grating,IEEE Photonics Technology Letters,vol.16,no.2,pp.518-520,Feb.2004.
Detection of biochemical interactions on a biosensor using tunable filters and tunable lasers,U.S. Patent Application.May 2003.
High-performance 1.6-mu m single-epitaxy top-emitting VCSEL,Electronics Letters,vol.36,no.13,pp.1121-1123, June 2000.
High performance micromechanical tunable vertical cavity surface emitting laser,U.S.Patent 5,771,253.June1998.
GaAs micromachined widely tunable Fabry-Perot filters,Electronics Letters,vol.31,no.3,pp.228-229,Feb.1995.
Dynamic, polarization, and transverse mode characteristics of vertical cavity surface emitting lasers,IEEE J. Quantum Electronics, vol.27,no.6,pp.1402-1409,June1991.
High power with high efficiency in a narrow single-lobed beam from a diode laser array in an external cavity,Applied Physics Letters,vol.50,no.21,pp.1465-1467,May1987.
Diffraction-limited emission from a diode laser array in an apertured graded-index lens external cavity,Applied Physics Letters,vol.49,no.11,pp.614-616,Sep.1986.
邀请老师演讲、授课请致电：19821197419 阎老师[微信同号]
免责声明：以上内容（包括文字、图片、视频）为用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。如涉及版权问题，请联系我们并提供版权证明，我们将立即删除！
