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刘明
中国科学院院士，复旦大学集成电路与微纳电子创新学院院长
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详细介绍
刘明
中国科学院院士，复旦大学集成电路与微纳电子创新学院院长
个人履历：
刘明：女，1964年4月出生，江西丰城人，微电子科学与技术专家，中国科学院院士、发展中国家科学院院士，复旦大学集成电路与微纳电子创新学院院长，中国科学院微电子研究所研究员、博士生导师，微电子器件与集成技术重点实验室主任，国家重大基础研究计划项目首席科学家，国家杰出青年基金获得者，享受国务院政府特殊津贴专家。1985年本科毕业于合肥工业大学，1988年获该校硕士学位，1998年于北京航空航天大学获博士学位。2000年被聘为中国科学院微电子研究所研究员和纳米加工与新器件集成技术研究室主任。2015年当选为中国科学院院士。长期致力于微电子科学技术领域的研究，在存储器模型机理、材料结构、核心共性技术和集成电路的微纳加工等方面做出了系统、创造性贡献。代表性成果包括：建立了阻变存储器（RRAM）物理模型，提出并实现高性能RRAM和集成的基础理论和关键技术方法，产生重要国际影响。拓展了新型闪存材料和结构体系，提出新的可靠性表征技术、失效模型和物理机理，为存储器产业发展提供关键理论和技术基础。主持参与了多项国家973、863项目；授权发明专利180件（含美国授权专利7件），主要专利转让/许可到多家重要集成电路企业。发表SCI收录论文250多篇，SCI他引超过2800次，6篇论文入选ESI高被引论文榜，两项工作列入2013年ITRS（国际半导体发展路线图）、多项工作作为典型进展被写入15本著作和40篇综述中。在本领域重要国际会议做邀请报告30多次。研究成果获国家技术发明二等奖3项、国家科技进步二等奖1项、中国电子学会科学技术奖自然科学类一等奖、北京市科学技术一等奖2项、北京市科学技术二等奖2项。
论文代表：
High-performance BaZr0.35Ti0.65O3 thin film capacitors with ultrahigh energy storage density and excellent thermal stability,Journal of Materials Chemistry A,10.1039/C7TA11109F;
Flexible Electronics: Mechanical Strain㏕unable Microwave Magnetism in Flexible CuFe2O4 Epitaxial Thin Film for Wearable Sensors,Advanced Functional Materials,10.1002/adfm.201870063;
Origin of negative resistance in anion migration controlled resistive memory,Applied Physics Letters,10.1063/1.5021019;
Topological Defects with Distinct Dipole Configurations in PbTiO3/SrTiO3 Multilayer Films,Physical Review Letters,10.1103/PhysRevLett.120.177601;
Effects of Capping Electrode on Ferroelectric Properties of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films,IEEE Electron Device Letters,10.1109/LED.2018.2846570;
Interface thickness optimization of lead-free oxide multilayer capacitors for high-performance energy storage,Journal of Materials Chemistry A,10.1039/C7TA10271B;
Structural water as an essential comonomer in supramolecular polymerization,Science Advances,10.1126/sciadv.aao0900;
Thickness-modulated anisotropic ferromagnetism in Fe-doped epitaxial HfO2 thin films,Applied Physics Letters,10.1063/1.5009428;
Crystal that remembers: Several ways to utilize nanocrystals in resistive switching memory,Journal of Physics D Applied Physics,10.1088/1361-6463/aa7572;
A review of carrier thermoelectric-transport theory in organic semiconductors,Physical Chemistry Chemical Physics,10.1039/c6cp02830f;
A New Ba0.6Sr0.4TiO3–Silicon Hybrid Metamaterial Device in Terahertz Regime,Small,10.1002/smll.201600276;
Eliminating Negative‐SET Behavior by Suppressing Nanofilament Overgrowth in Cation‐Based Memory,Advanced Materials,10.1002/adma.201603293.
著作代表：
《新型阻变存储技术》，作者：刘明，科学出版社2014年08月出版。
讲座主题：
《集成电路——信息与智能社会基础》
《集成电路技术与产业概述》
邀请老师演讲、授课请致电：19821197419 阎老师[微信同号]
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